제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO213AA
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
50V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
680mV @ 10mA
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
100nA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 175°C