NSB8JT-E3/81 가격 (USD) [143207PC 주식]
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- 800 pcs$0.24191
- 1,600 pcs$0.19098
- 2,400 pcs$0.17825
- 5,600 pcs$0.16976
- 부품 번호:
- NSB8JT-E3/81
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 사이리스터 - 트라이 액 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8JT-E3/81 electronic components. NSB8JT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8JT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8JT-E3/81 제품 속성
부품 번호 :
NSB8JT-E3/81
제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
600V
전류 - 평균 정류 (Io) :
8A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.1V @ 8A
속도 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
-
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지 :
TO-263AB
작동 온도 - 정션 :
-55°C ~ 150°C
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