기술 :
MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT
시리즈 :
DeepGATE™, STripFET™ VI
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
6.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
340pF @ 48V
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
PowerFlat™ (5x6)