Micron Technology Inc. - MT41K512M8V90BWC1

KEY Part #: K920771

[657PC 주식]


    부품 번호:
    MT41K512M8V90BWC1
    제조사:
    Micron Technology Inc.
    상세 설명:
    IC DRAM 4G PARALLEL.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 임베디드 - DSP (디지털 신호 프로세서), 선형 - 증폭기 - 특수용, PMIC - LED 드라이버, 메모리 - 배터리, 인터페이스 - 아날로그 스위치, 멀티플렉서, 디멀티플렉서, PMIC - 배터리 관리, 임베디드 - 마이크로 프로세서 and 논리 - 래치 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT41K512M8V90BWC1 electronic components. MT41K512M8V90BWC1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT41K512M8V90BWC1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT41K512M8V90BWC1 제품 속성

    부품 번호 : MT41K512M8V90BWC1
    제조사 : Micron Technology Inc.
    기술 : IC DRAM 4G PARALLEL
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    메모리 유형 : Volatile
    메모리 형식 : DRAM
    과학 기술 : SDRAM - DDR3L
    메모리 크기 : 4Gb (512M x 8)
    클럭 주파수 : -
    쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : -
    액세스 시간 : -
    메모리 인터페이스 : Parallel
    전압 - 공급 : 1.283V ~ 1.45V
    작동 온도 : 0°C ~ 95°C (TC)
    실장 형 : -
    패키지 / 케이스 : -
    공급 업체 장치 패키지 : -

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
    • MX25L3236DM2I-10G

      Macronix

      IC FLASH 32MBIT.

    • S34ML04G104BHV010

      Cypress Semiconductor Corp

      IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA. NAND Flash Nand

    • IS43LR32160B-6BLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile

    • IS61WV102416EDBLL-10B2LI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48MGA. SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V

    • IS61WV102416EDBLL-10BLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48MGA.

    • IS29LV032B-70BLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA.