제조사 :
Renesas Electronics America
기술 :
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101
FET 유형 :
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 특징 :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
43nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2600pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad