Infineon Technologies - IGW03N120H2FKSA1

KEY Part #: K6424854

IGW03N120H2FKSA1 가격 (USD) [39900PC 주식]

  • 1 pcs$0.97994
  • 240 pcs$0.92236

부품 번호:
IGW03N120H2FKSA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGW03N120H2FKSA1 제품 속성

부품 번호 : IGW03N120H2FKSA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
IGBT 유형 : -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 9.6A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 9.9A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.8V @ 15V, 3A
전력 - 최대 : 62.5W
스위칭 에너지 : 290µJ
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 22nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 9.2ns/281ns
시험 조건 : 800V, 3A, 82 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : -
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 : PG-TO247-3