Infineon Technologies - IRG7CH37K10EF

KEY Part #: K6421862

IRG7CH37K10EF 가격 (USD) [43035PC 주식]

  • 1 pcs$1.90382

부품 번호:
IRG7CH37K10EF
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
IGBT CHIP WAFER.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRG7CH37K10EF 제품 속성

부품 번호 : IRG7CH37K10EF
제조사 : Infineon Technologies
기술 : IGBT CHIP WAFER
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 15A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : -
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 15A
전력 - 최대 : -
스위칭 에너지 : -
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 80nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 28ns/122ns
시험 조건 : 600V, 15A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : -
작동 온도 : -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : Die
공급 업체 장치 패키지 : Die

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