IRG7CH37K10EF 가격 (USD) [43035PC 주식]
- 1 pcs$1.90382
- 부품 번호:
- IRG7CH37K10EF
- 상세 설명:
- IGBT CHIP WAFER.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 사이리스터 - SCR ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IRG7CH37K10EF electronic components. IRG7CH37K10EF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG7CH37K10EF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG7CH37K10EF 제품 속성
부품 번호 :
IRG7CH37K10EF
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
IGBT CHIP WAFER
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
15A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
-
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 15A
전력 - 최대 :
-
스위칭 에너지 :
-
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
80nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
28ns/122ns
시험 조건 :
600V, 15A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) :
-
작동 온도 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
Die
공급 업체 장치 패키지 :
Die
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