Renesas Electronics America - RJK0301DPB-02#J0

KEY Part #: K6418999

RJK0301DPB-02#J0 가격 (USD) [86753PC 주식]

  • 1 pcs$0.48047
  • 2,500 pcs$0.47808

부품 번호:
RJK0301DPB-02#J0
제조사:
Renesas Electronics America
상세 설명:
MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0301DPB-02#J0 제품 속성

부품 번호 : RJK0301DPB-02#J0
제조사 : Renesas Electronics America
기술 : MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
시리즈 : -
부품 상태 : Not For New Designs
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 60A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 32nC @ 4.5V
Vgs (최대) : +16V, -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 5000pF @ 10V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 65W (Tc)
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 5-LFPAK
패키지 / 케이스 : SC-100, SOT-669

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