제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
35V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1V @ 30mA
속도 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
100nA @ 25V
커패시턴스 @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
패키지 / 케이스 :
DO-204AH, DO-35, Axial
작동 온도 - 정션 :
-65°C ~ 150°C