EMD29T2R 가격 (USD) [884028PC 주식]
- 1 pcs$0.04205
- 8,000 pcs$0.04184
- 16,000 pcs$0.03914
- 24,000 pcs$0.03599
- 부품 번호:
- EMD29T2R
- 제조사:
- Rohm Semiconductor
- 상세 설명:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 다이오드 - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Rohm Semiconductor EMD29T2R electronic components. EMD29T2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EMD29T2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EMD29T2R 제품 속성
부품 번호 :
EMD29T2R
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
트랜지스터 유형 :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA, 500mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V, 12V
저항기 -베이스 (R1) :
1 kOhms, 10 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
500nA
빈도 - 전환 :
250MHz, 260MHz
전력 - 최대 :
120mW
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 :
EMT6
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