[6290PC 주식]
- 부품 번호:
- HN2A01FE-Y(TE85L,F
- 상세 설명:
- TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-Y(TE85L,F electronic components. HN2A01FE-Y(TE85L,F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN2A01FE-Y(TE85L,F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN2A01FE-Y(TE85L,F 제품 속성
부품 번호 :
HN2A01FE-Y(TE85L,F
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
트랜지스터 유형 :
2 PNP (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
150mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
120 @ 2mA, 6V
전력 - 최대 :
100mW
빈도 - 전환 :
80MHz
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 :
ES6
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