BCR562E6327HTSA1 가격 (USD) [1461272PC 주식]
- 1 pcs$0.02544
- 3,000 pcs$0.02531
- 6,000 pcs$0.02201
- 15,000 pcs$0.01871
- 30,000 pcs$0.01761
- 75,000 pcs$0.01651
- 부품 번호:
- BCR562E6327HTSA1
- 상세 설명:
- TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 사이리스터 - 트라이 액 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies BCR562E6327HTSA1 electronic components. BCR562E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BCR562E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BCR562E6327HTSA1 제품 속성
부품 번호 :
BCR562E6327HTSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
시리즈 :
-
부품 상태 :
Last Time Buy
트랜지스터 유형 :
PNP - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
500mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 -베이스 (R1) :
4.7 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
60 @ 50mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
100nA (ICBO)
빈도 - 전환 :
150MHz
전력 - 최대 :
330mW
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-23-3
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- FJNS3211RBU
- FJNS3209RTA
- FJN3308RTA
- MMUN2113LT1
- DDTC124ECA-7
- UNR911MJ0L
- UNR911BJ0L
- UNR221400L
- UNR211F00L
- DDTA144VUA-7
- RN2108(T5L,F,T)
- UNR723100L
- UNR411400A
- UNR31A300L
- UNR221D00L
- DDTA115GCA-7
- DDTA115TCA-7
- DDTC124TUA-7
- DDTC144EKA-7-F
- UNR221F00L
- DDTA114WCA-7
- PDTA123ES,126
- PDTC143ES,126
- RN1106CT(TPL3)
- UNR911HG0L
- UNR51AVG0L
- DDTA144TKA-7-F
- DDTA143ZKA-7-F
- MUN2111T3G
- MMUN2231LT1
- MMUN2112LT1
- DTA123JET1
- FJY4013R
- PDTD123YUX
- PDTB143ETVL
- DTC123JUBTL
- DTA144EUBHZGTL
- PDTA144ET,215
- PDTA144WU,115
- PDTA114EU,135