Taiwan Semiconductor Corporation - MBR1035HC0G

KEY Part #: K6429240

MBR1035HC0G 가격 (USD) [300633PC 주식]

  • 1 pcs$0.12303

부품 번호:
MBR1035HC0G
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
상세 설명:
DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - 트라이 액 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR1035HC0G 제품 속성

부품 번호 : MBR1035HC0G
제조사 : Taiwan Semiconductor Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 35V
전류 - 평균 정류 (Io) : 10A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 700mV @ 10A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100µA @ 35V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-220-2
공급 업체 장치 패키지 : TO-220AC
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 150°C

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