[9435PC 주식]
- 부품 번호:
- GT60N321(Q)
- 상세 설명:
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 사이리스터 - SCR - 모듈 ...
- 경쟁 우위:
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GT60N321(Q) 제품 속성
부품 번호 :
GT60N321(Q)
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
IGBT 유형 :
-
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1000V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
60A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) :
120A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 60A
전력 - 최대 :
170W
스위칭 에너지 :
-
입력 유형 :
Standard
게이트 차지 :
-
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
330ns/700ns
시험 조건 :
-
역 회복 시간 (trr) :
2.5µs
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-3PL
공급 업체 장치 패키지 :
TO-3P(LH)
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