IRFH5302TRPBF 가격 (USD) [186854PC 주식]
- 1 pcs$0.19795
- 4,000 pcs$0.19003
- 부품 번호:
- IRFH5302TRPBF
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 특수용 and 트랜지스터 - JFET ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH5302TRPBF electronic components. IRFH5302TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5302TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH5302TRPBF 제품 속성
부품 번호 :
IRFH5302TRPBF
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
시리즈 :
HEXFET®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
32A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.35V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
76nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
4400pF @ 15V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
3.6W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
PQFN (5x6) Single Die
패키지 / 케이스 :
8-PowerVDFN
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- BUK7Y25-80E/CX
- JANSF2N7383
- IPS50R520CPAKMA1
- STL160NS3LLH7
- 5LP01M-TL-E
- UPA2739T1A-E2-AY
- PMT200EN,135
- ZXM62P03E6TC
- SUD45P03-10-E3
- TK4A55DA(STA4,Q,M)
- BSS315PL6327HTSA1
- NTMFS4941NT3G
- SPP15N60CFDHKSA1
- IPP80N04S204AKSA1
- NTLJD3182FZTBG
- SI1046X-T1-GE3
- FQA10N80_F109
- IRFU3709Z-701P
- NTB75N03L09G
- FDP16N50
- IXFC16N50P
- HUFA75343G3
- FQD3N60TF
- VN2410LG
- IPD110N12N3GBUMA1
- FDZ209N
- IRF7604TR
- IRF9530S
- IRFD9120
- BUK652R0-30C,127
- STP5NK60ZFP
- IPI110N20N3GAKSA1
- IXTY2N100P
- IXTP3N50P
- SUD23N06-31-T4-GE3
- SQJA06EP-T1_GE3
- BUK9Y72-80E,115
- R6002ENDTL
- IPU50R1K4CEAKMA1
- BSD314SPEH6327XTSA1