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Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938373

TC58NYG2S0HBAI6 가격 (USD) [20269PC 주식]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
부품 번호:
TC58NYG2S0HBAI6
제조사:
Toshiba Memory America, Inc.
상세 설명:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 선형 - 비디오 프로세싱, PMIC - 디스플레이 드라이버, PMIC - PoE (Power over Ethernet) 컨트롤러, 인터페이스 - 컨트롤러, 클록 / 타이밍 - 클록 버퍼, 드라이버, 클록 / 타이밍 - 지연 라인, 데이터 수집 - 아날로그 프론트 엔드 (AFE) and 인터페이스 - 신호 터미네이터 ...
경쟁 우위:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI6 electronic components. TC58NYG2S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NYG2S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI6 제품 속성

부품 번호 : TC58NYG2S0HBAI6
제조사 : Toshiba Memory America, Inc.
기술 : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Non-Volatile
메모리 형식 : FLASH
과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 : 4Gb (512M x 8)
클럭 주파수 : -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns
액세스 시간 : 25ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 67-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 67-VFBGA (6.5x8)

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