TPH1110ENH,L1Q 가격 (USD) [147789PC 주식]
- 1 pcs$0.26284
- 5,000 pcs$0.26154
- 부품 번호:
- TPH1110ENH,L1Q
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110ENH,L1Q electronic components. TPH1110ENH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH1110ENH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH1110ENH,L1Q 제품 속성
부품 번호 :
TPH1110ENH,L1Q
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
시리즈 :
U-MOSVIII-H
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
7.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 200µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
600pF @ 100V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
1.6W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스 :
8-PowerVDFN
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