Toshiba Semiconductor and Storage - TPH6400ENH,L1Q

KEY Part #: K6416895

TPH6400ENH,L1Q 가격 (USD) [131756PC 주식]

  • 1 pcs$0.28818
  • 5,000 pcs$0.28674

부품 번호:
TPH6400ENH,L1Q
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - SCR and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH6400ENH,L1Q 제품 속성

부품 번호 : TPH6400ENH,L1Q
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
시리즈 : U-MOSVIII-H
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 64 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 300µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 11.2nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1100pF @ 100V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 1.6W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스 : 8-PowerVDFN

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