GeneSiC Semiconductor - 1N8030-GA

KEY Part #: K6428136

1N8030-GA 가격 (USD) [488PC 주식]

  • 1 pcs$89.56064
  • 10 pcs$85.23848
  • 25 pcs$82.15037

부품 번호:
1N8030-GA
제조사:
GeneSiC Semiconductor
상세 설명:
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 사이리스터 - SCR - 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8030-GA 제품 속성

부품 번호 : 1N8030-GA
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
다이오드 유형 : Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 650V
전류 - 평균 정류 (Io) : 750mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.39V @ 750mA
속도 : No Recovery Time > 500mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 0ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-257-3
공급 업체 장치 패키지 : TO-257
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 250°C
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