Comchip Technology - CDBDSC8650-G

KEY Part #: K6441547

CDBDSC8650-G 가격 (USD) [26720PC 주식]

  • 1 pcs$1.54245

부품 번호:
CDBDSC8650-G
제조사:
Comchip Technology
상세 설명:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - SCR, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC8650-G 제품 속성

부품 번호 : CDBDSC8650-G
제조사 : Comchip Technology
기술 : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Silicon Carbide Schottky
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 650V
전류 - 평균 정류 (Io) : 25.5A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.7V @ 8A
속도 : No Recovery Time > 500mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 0ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 100µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F : 550pF @ 0V, 1MHz
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지 : D-PAK (TO-252)
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 175°C

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