ON Semiconductor - NGTB25N120SWG

KEY Part #: K6423574

NGTB25N120SWG 가격 (USD) [9606PC 주식]

  • 1 pcs$2.11095
  • 10 pcs$1.89413
  • 100 pcs$1.55201
  • 500 pcs$1.32120
  • 1,000 pcs$1.05712

부품 번호:
NGTB25N120SWG
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
IGBT 25A 1200V TO-247.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB25N120SWG 제품 속성

부품 번호 : NGTB25N120SWG
제조사 : ON Semiconductor
기술 : IGBT 25A 1200V TO-247
시리즈 : -
부품 상태 : Last Time Buy
IGBT 유형 : Trench
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 50A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) : 100A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 25A
전력 - 최대 : 385W
스위칭 에너지 : 1.95mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형 : Standard
게이트 차지 : 178nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C : 87ns/179ns
시험 조건 : 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) : 154ns
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 : TO-247-3