트랜지스터 유형 :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
저항기 - 이미 터베이스 (R2) :
47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
80 @ 5mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
150mV @ 500µA, 10mA
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363