기술 :
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8
부품 상태 :
Not For New Designs
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
10nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
500pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 :
8-SOP (5.0x6.0)