기술 :
MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 22A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
99nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1250pF @ 6V
전력 발산 (최대) :
2.4W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)