Infineon Technologies - IRF7404PBF

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IRF7404PBF 가격 (USD) [13755PC 주식]

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부품 번호:
IRF7404PBF
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 브리지 정류기, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7404PBF 제품 속성

부품 번호 : IRF7404PBF
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
시리즈 : HEXFET®
부품 상태 : Discontinued at Digi-Key
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 6.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 700mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
Vgs (최대) : ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1500pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 2.5W (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 8-SO
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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