기술 :
MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
35V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.6V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
660pF @ 20V
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)