Transphorm - TPH3202LD

KEY Part #: K6401697

TPH3202LD 가격 (USD) [2960PC 주식]

  • 1 pcs$4.89618
  • 10 pcs$4.40656
  • 100 pcs$3.62317
  • 500 pcs$3.03563

부품 번호:
TPH3202LD
제조사:
Transphorm
상세 설명:
GANFET N-CH 600V 9A PQFN.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 제너 - 싱글, 전원 드라이버 모듈 and 사이리스터 - SCR ...
경쟁 우위:
We specialize in Transphorm TPH3202LD electronic components. TPH3202LD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH3202LD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH3202LD 제품 속성

부품 번호 : TPH3202LD
제조사 : Transphorm
기술 : GANFET N-CH 600V 9A PQFN
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V
Vgs (최대) : ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 760pF @ 480V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 65W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 4-PQFN (8x8)
패키지 / 케이스 : 4-PowerDFN

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • ZVN4310A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • SI1471DH-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.

  • IRF2204SPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK.