제조사 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 :
IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
660A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
3.6V @ 15V, 400A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
33.7nF @ 30V
패키지 / 케이스 :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급 업체 장치 패키지 :
Double INT-A-PAK