Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB400TH120U

KEY Part #: K6533225

VS-GB400TH120U 가격 (USD) [347PC 주식]

  • 1 pcs$133.12944
  • 12 pcs$126.79014

부품 번호:
VS-GB400TH120U
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
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경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB400TH120U 제품 속성

부품 번호 : VS-GB400TH120U
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : NPT
구성 : Half Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 660A
전력 - 최대 : 2660W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 3.6V @ 15V, 400A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 33.7nF @ 30V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : No
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급 업체 장치 패키지 : Double INT-A-PAK

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