제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
IGBT 1200V 75A 521W TO247
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
3.2V @ 15V, 25A
스위칭 에너지 :
742µJ (on), 427µJ (off)
Td (온 / 오프) @ 25 ° C :
16ns/122ns
시험 조건 :
600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)