Vishay Semiconductor Diodes Division - BZG05C9V1-HE3-TR3

KEY Part #: K6507773

BZG05C9V1-HE3-TR3 가격 (USD) [5200PC 주식]

  • 6,000 pcs$0.04352

부품 번호:
BZG05C9V1-HE3-TR3
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE ZENER 9.1V 1.25W DO214AC.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZG05C9V1-HE3-TR3 제품 속성

부품 번호 : BZG05C9V1-HE3-TR3
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE ZENER 9.1V 1.25W DO214AC
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Obsolete
전압 - 제너 (Nom) (Vz) : 9.1V
공차 : ±5%
전력 - 최대 : 1.25W
임피던스 (최대) (Zzt) : 5 Ohms
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 1µA @ 6.8V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.2V @ 200mA
작동 온도 : 150°C
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : DO-214AC, SMA
공급 업체 장치 패키지 : DO-214AC

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