기술 :
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
6.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
250pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
패키지 / 케이스 :
4-DIP (0.300", 7.62mm)