Toshiba Memory America, Inc. - TH58NYG3S0HBAI6

KEY Part #: K929925

TH58NYG3S0HBAI6 가격 (USD) [11073PC 주식]

  • 1 pcs$4.13817

부품 번호:
TH58NYG3S0HBAI6
제조사:
Toshiba Memory America, Inc.
상세 설명:
IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. PMIC - AC DC 컨버터, 오프라인 스위치, 임베디드 - 마이크로 프로세서, PMIC - RMS 대 DC 컨버터, 인터페이스 - 모뎀 - IC 및 모듈, 인터페이스 - 직접 디지털 합성 (DDS), 로직 - 버퍼, 드라이버, 수신기, 트랜시버, PMIC - 열 관리 and 논리 - 시프트 레지스터 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NYG3S0HBAI6 제품 속성

부품 번호 : TH58NYG3S0HBAI6
제조사 : Toshiba Memory America, Inc.
기술 : IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Non-Volatile
메모리 형식 : FLASH
과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기 : 8Gb (1G x 8)
클럭 주파수 : -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns
액세스 시간 : 25ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 67-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 67-VFBGA (6.5x8)

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