SSM6P36FE,LM 가격 (USD) [1169017PC 주식]
- 1 pcs$0.03498
- 4,000 pcs$0.03480
- 부품 번호:
- SSM6P36FE,LM
- 상세 설명:
- MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36FE,LM electronic components. SSM6P36FE,LM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6P36FE,LM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6P36FE,LM 제품 속성
부품 번호 :
SSM6P36FE,LM
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
330mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.2nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
43pF @ 10V
전력 - 최대 :
150mW
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 :
ES6 (1.6x1.6)
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- APTJC120AM25VCT1AG
- SI7905DN-T1-E3
- SI1563EDH-T1-GE3
- FDS4953
- EFC6618R-A-TF
- AON4807_001
- AO9926BL
- NVDD5894NLT4G
- ECH8651R-R-TL-H
- VEC2415-TL-E
- SIZ910DT-T1-GE3
- SI7909DN-T1-E3
- SI3981DV-T1-GE3
- IRF7754TRPBF
- IRF5851TRPBF
- GWM160-0055X1-SMD
- BSD223P L6327
- SIA917DJ-T1-GE3
- IRF7751GTRPBF
- IRF7379QTRPBF
- APTM60A23FT1G
- APTM100DDA35T3G
- NTJD4158CT2G
- SI4973DY-T1-E3
- SI1024X-T1-E3
- HAT2092R-EL-E
- NTZD3152PT5G
- FDS6993
- IRF9952PBF
- SI7252DP-T1-GE3
- IPG20N06S2L50AATMA1
- SIZ300DT-T1-GE3
- QS8K13TCR
- TPC8407,LQ(S
- SI8902AEDB-T2-E1
- QS8M12TCR
- QS8J12TCR
- BSL205NH6327XTSA1
- PMDPB58UPE,115
- SSM6N36FE,LM