LSIC1MO170E1000 가격 (USD) [12469PC 주식]
- 1 pcs$3.30525
- 부품 번호:
- LSIC1MO170E1000
- 제조사:
- Littelfuse Inc.
- 상세 설명:
- MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Littelfuse Inc. LSIC1MO170E1000 electronic components. LSIC1MO170E1000 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LSIC1MO170E1000, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LSIC1MO170E1000 제품 속성
부품 번호 :
LSIC1MO170E1000
제조사 :
Littelfuse Inc.
기술 :
MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1700V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
15V, 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
15nC @ 20V
Vgs (최대) :
+22V, -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
200pF @ 1000V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
54W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
TO-247-3L
패키지 / 케이스 :
TO-247-3
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