Taiwan Semiconductor Corporation - BZD17C120P R3G

KEY Part #: K6485772

BZD17C120P R3G 가격 (USD) [735693PC 주식]

  • 1 pcs$0.05028

부품 번호:
BZD17C120P R3G
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
상세 설명:
DIODE ZENER 120V 800MW SUB SMA. Zener Diodes 0,8W, 120V, ZENER
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD17C120P R3G 제품 속성

부품 번호 : BZD17C120P R3G
제조사 : Taiwan Semiconductor Corporation
기술 : DIODE ZENER 120V 800MW SUB SMA
시리즈 : -
부품 상태 : Active
전압 - 제너 (Nom) (Vz) : 120V
공차 : ±5.41%
전력 - 최대 : 800mW
임피던스 (최대) (Zzt) : 300 Ohms
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 1µA @ 91V
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.2V @ 200mA
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : DO-219AB
공급 업체 장치 패키지 : Sub SMA

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