IXYS - IXFP56N30X3

KEY Part #: K6399022

IXFP56N30X3 가격 (USD) [14343PC 주식]

  • 1 pcs$2.87336

부품 번호:
IXFP56N30X3
제조사:
IXYS
상세 설명:
300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
경쟁 우위:
We specialize in IXYS IXFP56N30X3 electronic components. IXFP56N30X3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP56N30X3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP56N30X3 제품 속성

부품 번호 : IXFP56N30X3
제조사 : IXYS
기술 : 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
시리즈 : HiPerFET™
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 300V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4.5V @ 1.5mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 3.75nF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 320W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-220AB
패키지 / 케이스 : TO-220-3

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TK17A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS.

  • IRFIBE20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP.