제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
게이트 유형 :
N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
0.7V, 2.2V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
1A, 1A
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
200V
상승 / 하강 시간 (일반) :
35ns, 20ns
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)