MG12150D-BA1MM 가격 (USD) [817PC 주식]
- 1 pcs$58.22212
- 10 pcs$54.58510
- 25 pcs$52.03775
- 100 pcs$49.12659
- 부품 번호:
- MG12150D-BA1MM
- 제조사:
- Littelfuse Inc.
- 상세 설명:
- IGBT 1200V 210A 1100W PKG D.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - SCR - 모듈, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 사이리스터 - 트라이 액 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Littelfuse Inc. MG12150D-BA1MM electronic components. MG12150D-BA1MM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MG12150D-BA1MM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MG12150D-BA1MM 제품 속성
부품 번호 :
MG12150D-BA1MM
제조사 :
Littelfuse Inc.
기술 :
IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
-
구성 :
Half Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
210A
전력 - 최대 :
1100W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
1.8V @ 15V, 150A (Typ)
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
입력 :
Standard
NTC 서미스터 :
No
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
Module
공급 업체 장치 패키지 :
D3
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