Vishay Semiconductor Diodes Division - EGF1B-1HE3/67A

KEY Part #: K6439890

[4005PC 주식]


    부품 번호:
    EGF1B-1HE3/67A
    제조사:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    상세 설명:
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
    경쟁 우위:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1B-1HE3/67A electronic components. EGF1B-1HE3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1B-1HE3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGF1B-1HE3/67A 제품 속성

    부품 번호 : EGF1B-1HE3/67A
    제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
    기술 : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
    시리즈 : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
    부품 상태 : Discontinued at Digi-Key
    다이오드 유형 : Standard
    전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 100V
    전류 - 평균 정류 (Io) : 1A
    전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1V @ 1A
    속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    역 회복 시간 (trr) : 50ns
    전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 100V
    커패시턴스 @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    실장 형 : Surface Mount
    패키지 / 케이스 : DO-214BA
    공급 업체 장치 패키지 : DO-214BA (GF1)
    작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 175°C

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