HN1B01FU-GR,LF 가격 (USD) [1548880PC 주식]
- 1 pcs$0.02400
- 3,000 pcs$0.02388
- 부품 번호:
- HN1B01FU-GR,LF
- 상세 설명:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 제너 - 싱글, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 전원 드라이버 모듈 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-GR,LF electronic components. HN1B01FU-GR,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1B01FU-GR,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN1B01FU-GR,LF 제품 속성
부품 번호 :
HN1B01FU-GR,LF
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
트랜지스터 유형 :
NPN, PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
150mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
50V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic :
250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce :
200 @ 2mA, 6V
전력 - 최대 :
200mW, 210mW
빈도 - 전환 :
150MHz
작동 온도 :
125°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 :
US6
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