기술 :
IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8WSON
게이트 유형 :
N-Channel MOSFET
논리 전압 - VIL, VIH :
0.8V, 2.2V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) :
1.3A, 1.4A
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) :
118V
상승 / 하강 시간 (일반) :
15ns, 15ns
작동 온도 :
-40°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
8-WSON (4x4)