BAS516,L3F 가격 (USD) [3388457PC 주식]
- 1 pcs$0.01092
- 부품 번호:
- BAS516,L3F
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,L3F electronic components. BAS516,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS516,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS516,L3F 제품 속성
부품 번호 :
BAS516,L3F
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
100V
전류 - 평균 정류 (Io) :
250mA
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.25V @ 150mA
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
3ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
200nA @ 80V
커패시턴스 @ Vr, F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SC-79, SOD-523
공급 업체 장치 패키지 :
ESC
작동 온도 - 정션 :
150°C (Max)
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