BAS116E6327HTSA1 가격 (USD) [2455275PC 주식]
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- 15,000 pcs$0.01154
- 30,000 pcs$0.01039
- 75,000 pcs$0.00923
- 150,000 pcs$0.00770
- 부품 번호:
- BAS116E6327HTSA1
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - IGBT - 모듈 and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies BAS116E6327HTSA1 electronic components. BAS116E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116E6327HTSA1 제품 속성
부품 번호 :
BAS116E6327HTSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
시리즈 :
-
부품 상태 :
Last Time Buy
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
80V
전류 - 평균 정류 (Io) :
250mA (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
1.25V @ 150mA
속도 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
1.5µs
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
5nA @ 75V
커패시턴스 @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-23-3
작동 온도 - 정션 :
150°C (Max)
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