Microsemi Corporation - APTGT200H120G

KEY Part #: K6533143

APTGT200H120G 가격 (USD) [549PC 주식]

  • 1 pcs$84.57337
  • 100 pcs$81.41536

부품 번호:
APTGT200H120G
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - JFET and 사이리스터 - SCR ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200H120G 제품 속성

부품 번호 : APTGT200H120G
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : Trench Field Stop
구성 : Full Bridge Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 280A
전력 - 최대 : 890W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : No
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : SP6
공급 업체 장치 패키지 : SP6

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