IDV30E65D2XKSA1 가격 (USD) [44322PC 주식]
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- 100 pcs$0.48065
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- 1,000 pcs$0.30951
- 부품 번호:
- IDV30E65D2XKSA1
- 상세 설명:
- DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers IGBT PRODUCTS
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IDV30E65D2XKSA1 electronic components. IDV30E65D2XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDV30E65D2XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDV30E65D2XKSA1 제품 속성
부품 번호 :
IDV30E65D2XKSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
다이오드 유형 :
Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) :
650V
전류 - 평균 정류 (Io) :
30A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If :
2.2V @ 30A
속도 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) :
42ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) :
40µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F :
-
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
TO-220-2 Full Pack
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TO220-2 Full Pack
작동 온도 - 정션 :
-40°C ~ 175°C
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