Comchip Technology - 1N5407-G

KEY Part #: K6443917

1N5407-G 가격 (USD) [1221065PC 주식]

  • 1 pcs$0.03197
  • 1,200 pcs$0.03181

부품 번호:
1N5407-G
제조사:
Comchip Technology
상세 설명:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR, 사이리스터 - 트라이 액, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - RF and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5407-G 제품 속성

부품 번호 : 1N5407-G
제조사 : Comchip Technology
기술 : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
시리즈 : -
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 800V
전류 - 평균 정류 (Io) : 3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1V @ 3A
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : -
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Through Hole
패키지 / 케이스 : DO-201AD, Axial
공급 업체 장치 패키지 : DO-27 (DO-201AD)
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 125°C

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