SIZF920DT-T1-GE3 가격 (USD) [102903PC 주식]
- 1 pcs$0.37998
- 부품 번호:
- SIZF920DT-T1-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3 electronic components. SIZF920DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZF920DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZF920DT-T1-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SIZF920DT-T1-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
시리즈 :
TrenchFET® Gen IV
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
29nC @ 10V, 125nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
전력 - 최대 :
3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-PowerWDFN
공급 업체 장치 패키지 :
8-PowerPair® (6x5)
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