Infineon Technologies - FS900R08A2P2B31BOSA1

KEY Part #: K6533249

FS900R08A2P2B31BOSA1 가격 (USD) [115PC 주식]

  • 1 pcs$403.45128
  • 3 pcs$341.05766

부품 번호:
FS900R08A2P2B31BOSA1
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 사이리스터 - 트라이 액 ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies FS900R08A2P2B31BOSA1 electronic components. FS900R08A2P2B31BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS900R08A2P2B31BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS900R08A2P2B31BOSA1 제품 속성

부품 번호 : FS900R08A2P2B31BOSA1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1
시리즈 : *
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : -
구성 : -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : -
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : -
전력 - 최대 : -
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : -
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : -
입력 : -
NTC 서미스터 : -
작동 온도 : -
실장 형 : -
패키지 / 케이스 : -
공급 업체 장치 패키지 : -

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT600A60G

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6.