Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA06TB120S-M3

KEY Part #: K6443058

VS-HFA06TB120S-M3 가격 (USD) [72496PC 주식]

  • 1 pcs$0.53935

부품 번호:
VS-HFA06TB120S-M3
제조사:
Vishay Semiconductor Diodes Division
상세 설명:
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK. Rectifiers 1200V 6A TO-263 HexFred
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 사이리스터 - SCR, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA06TB120S-M3 제품 속성

부품 번호 : VS-HFA06TB120S-M3
제조사 : Vishay Semiconductor Diodes Division
기술 : DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
시리즈 : HEXFRED®
부품 상태 : Active
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 1200V
전류 - 평균 정류 (Io) : 6A (DC)
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 3.9V @ 12A
속도 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 80ns
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 5µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지 : TO-263AB (D²PAK)
작동 온도 - 정션 : -55°C ~ 150°C

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