제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
300mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID :
900mV @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
작동 온도 :
-65°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-XFDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
X2-DFN1310-6 (Type B)